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        玉器IC列入

        浏览量:220 上流传更新:2019-03-20

        说起玉器IC的分类,大家马上想起可以分为RAM和ROM两大类。

        RAM是Random Access Memory的缩写,翻译过来就是随机存取存储器,随机存取可以清楚为能够高速读写。科普的RAM又可以分成SRAM(Static RAM:静态RAM)和DRAM(dynamic RAM:动态RAM)。

        ROM是Read Only Memory的缩写,翻译过来就是只读存储器。科普的ROM又可分为掩膜ROM(有时直接称为ROM)、PROM(Programmable ROM:可编程ROM,特指一次编程的ROM)、EPROM(Erasable Programmable ROM:可擦除可编程的ROM,擦除时用紫外线)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM:电可擦除可编程ROM)。
        上述是大家在各种教材上观看的探测器的分类。

        题材是,ROM强烈叫只读存储器,也就是不足写的探测器,具体是除了掩膜ROM是不足写的外,PROM、EPROM、EEPROM事实上都是可写的。它们的称谓中还带有“ROM”是形同虚设的打法。掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM这几种存储器的共同特点其实是少电后,所存储的数量不会消失,于是可以归类为非易失性存储器(即Non-Volatile Memory)。

        SRAM、DRAM的共同特点是少电后数据会丢,于是也可称为易失性存储器(Volatile memory)。
        于是乎,玉器从大类来分,可以分为易失性存储器和非易失性存储器。

        新兴出现的Flash Memory(快闪存储,简称闪存),少电后数据也不容易丢失,于是也属于非易失性存储器。Flash Memory的称谓中已经不带ROM字样了,但是传统的分类方法中,还是把Flash Memory分类为ROM类,事实上此时是因为这些传感器都是非易失之。

        把存储器分为易失性存储器和非易失性存储器就万事大吉了么?

        令人纠结的是,有一种新的存储器,她既是非易失之,同时又是能够高速随时读写数据的,且不说能够随机存取的。这种报警器就是FRAM(Ferroelectric Random Access Memory:铁电随机存取存储器,简称铁电存储器)。把FRAM分类为非易失性存储器是可以,但是FRAM的敏捷读写性质又与SRAM、DRAM更为贴近,她也是一种RAM。
        于是乎,玉器的分类令人纠结。风的人均RAM与ROM的章程本来就不正确。如果分成RAM与非易失性存储器这两大类,也不正确,因为这个分类本身就不是按同一个标准分的,导致FRAM即属于RAM,又属于非易失性存储器。如果只分成易失性存储器和非易失性存储器,又导致FRAM与SRAM、DRAM分家,大家都有RAM嘛,凭什么分开是吧。
        我之提议是,玉器分成随机存取存储器和非随机存取存储器两大类比较适当。
        于是乎,玉器的分类如下(按存取速度分类):

        1、随机存取存储器:SRAM、DRAM、FRAM;
        2、非随机存取存储器:掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。
        差强人意的分类为(按易失性分列):
        1、易失性存储器:SRAM、DRAM;
        2、非易失性存储器:掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory、FRAM。

        
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